Name: SQJ960EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ960EP-T1_GE3TR-ND
Price: 568.7 JPY
Availability: InStock

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SQJ960EP-T1_GE3
DigiKey製品番号	SQJ960EP-T1_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQJ960EP-T1_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQJ960EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQJ960EP-T1_GE3
商品概要	MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 60V 8A 34W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQJ960EP-T1_GE3 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 20nC @ 10V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 735pF @ 25V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力 - 最大 34W
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
構成 2 Nチャンネル（デュアル）	認定 AEC-Q101
FET機能論理レベルゲート	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60V	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8デュアル
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 8A	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8デュアル
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 36ミリオーム @ 5.3A、10V	ベース品番 SQJ960

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代替品リスト（1）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
SQJ960EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	1,461	SQJ960EP-T1_GE3CT-ND	¥517.00000	パラメータ等価

在庫：1,461個

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カットテープ（CT） & Digi-Reel®

*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金（¥800）が追加されます。

テープ＆リール（TR）

数量	単価	請求価格
3,000	¥153.90733	¥461,722
6,000	¥145.55783	¥873,347

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥517.00000
単価（消費税込み）:	¥568.70000

SQJ960EP-T1_GE3