Name: SQJ912BEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ912BEP-T1_GE3TR-ND
Price: 381.7 JPY
Availability: OutOfStock

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SQJ912BEP-T1_GE3
DigiKey製品番号	SQJ912BEP-T1_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQJ912BEP-T1_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQJ912BEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQJ912BEP-T1_GE3
商品概要	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
メーカーの標準リードタイム	23 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 40V 30A（Tc） 48W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQJ912BEP-T1_GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 60nC @ 10V
メーカー Vishay Siliconix	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3000pF @ 25V
シリーズ TrenchFET®	電力 - 最大 48W（Tc）
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
部品状況アクティブ	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
構成 2 Nチャンネル（デュアル）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 40V	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8デュアル
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 30A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8デュアル
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 11ミリオーム @ 9A、10V	ベース品番 SQJ912
Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 250µA

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テープ＆リール（TR）

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥347.00000
単価（消費税込み）:	¥381.70000

SQJ912BEP-T1_GE3