Name: SQJ460AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ460AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 402.6 JPY
Availability: InStock

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SQJ460AEP-T1_GE3
DigiKey製品番号	SQJ460AEP-T1_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQJ460AEP-T1_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQJ460AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQJ460AEP-T1_GE3
商品概要	MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 32A（Tc） 83W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQJ460AEP-T1_GE3 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 106 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4795 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 83W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 32A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9.6ミリオーム @ 18A、10V	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA	ベース品番 SQJ460