Name: SQJ459EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ459EP-T1_BE3TR-ND
Price: 365.2 JPY
Availability: InStock

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SQJ459EP-T1_BE3
DigiKey製品番号	742-SQJ459EP-T1_BE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SQJ459EP-T1_BE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SQJ459EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQJ459EP-T1_BE3
商品概要	P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 52A（Tc） 83W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQJ459EP-T1_BE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 108 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4586 pF @ 30 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 83W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 52A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 18ミリオーム @ 3.5A、10V	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA

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関連リソース

代替品リスト（2）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
SQJ459EP-T1_NE3	Vishay Siliconix	2,220	742-SQJ459EP-T1_NE3CT-ND	¥344.00000	パラメータ等価
SQJ459EP-T2_BE3	Vishay Siliconix	5,544	742-SQJ459EP-T2_BE3CT-ND	¥324.00000	パラメータ等価