Name: SQJ110EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ110EP-T1_GE3TR-ND
Price: 434.5 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SQJ110EP-T1_GE3
DigiKey製品番号	742-SQJ110EP-T1_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SQJ110EP-T1_GE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SQJ110EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQJ110EP-T1_GE3
商品概要	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
メーカーの標準リードタイム	32 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 170A（Tc） 500W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQJ110EP-T1_GE3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	170A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	6.3ミリオーム @ 15A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	113 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	6100 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	500W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース	PowerPAK® SO-8