Name: SQD50P04-09L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50P04-09L_GE3TR-ND
Price: 762.3 JPY
Availability: InStock

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SQD50P04-09L_GE3
DigiKey製品番号	SQD50P04-09L_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQD50P04-09L_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQD50P04-09L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQD50P04-09L_GE3
商品概要	MOSFET P-CH 40V 50A TO252
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 40 V 50A（Tc） 136W（Tc）面実装 TO-252AA
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQD50P04-09L_GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 155 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6675 pF @ 20 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 136W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Pチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 40 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 50A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9.4ミリオーム @ 17A、10V	ベース品番 SQD50
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA

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ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

数量	単価	請求価格
2,000	¥226.75600	¥453,512
4,000	¥217.08000	¥868,320

単価（消費税抜き）:	¥693.00000
単価（消費税込み）:	¥762.30000

SQD50P04-09L_GE3