Name: SQ4425EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4425EY-T1_GE3TR-ND
Price: 521.4 JPY
Availability: InStock

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SQ4425EY-T1_GE3
DigiKey製品番号	SQ4425EY-T1_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQ4425EY-T1_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQ4425EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQ4425EY-T1_GE3
商品概要	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
メーカーの標準リードタイム	23 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 30 V 18A（Tc） 6.8W（Tc）面実装 8-SOIC
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 50 nC @ 4.5 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3630 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 6.8W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Pチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 18A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 12ミリオーム @ 13A、10V	ベース品番 SQ4425
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA