Name: SQ4182EY-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ4182EY-T1_BE3TR-ND
Price: 469.7 JPY
Availability: InStock

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SQ4182EY-T1_BE3
DigiKey製品番号	742-SQ4182EY-T1_BE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SQ4182EY-T1_BE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SQ4182EY-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQ4182EY-T1_BE3
商品概要	MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 32A（Tc） 7.1W（Tc）面実装 8-SOIC
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5400 pF @ 15 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 7.1W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 32A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.8ミリオーム @ 14A、 10V	ベース品番 SQ4182
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA