SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | シングルFET、MOSFET

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SQ2315ES-T1_GE3
DigiKey製品番号	SQ2315ES-T1_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQ2315ES-T1_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQ2315ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQ2315ES-T1_GE3
商品概要	MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 12 V 5A（Tc） 2W（Tc）面実装 SOT-23-3（TO-236）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	12 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	5A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.8V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	50ミリオーム @ 3.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	13 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	870 pF @ 4 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-23-3（TO-236）
パッケージ/ケース	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番	SQ2315