Name: SQ1563AEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1563AEH-T1_GE3TR-ND
Price: 77 JPY
Availability: InStock

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SQ1563AEH-T1_GE3
DigiKey製品番号	SQ1563AEH-T1_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQ1563AEH-T1_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQ1563AEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQ1563AEH-T1_GE3
商品概要	MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 20V 850mA（Tc） 1.5W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ	Id印加時のVgs（th）（最大） 1.5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 1.25nC @ 4.5V、 1.33nC @ 4.5V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 89pF @ 10V、 84pF @ 10V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力 - 最大 1.5W
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
構成 NおよびPチャンネル	パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6デュアル
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6デュアル
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 850mA（Tc）	ベース品番 SQ1563
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 280ミリオーム @ 850mA、 4.5V、 575ミリオーム @ 800mA、 4.5V