
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SIZ918DT-T1-GE3 | |
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DigiKey製品番号 | SIZ918DT-T1-GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SIZ918DT-T1-GE3CT-ND - カット テープ(CT) SIZ918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIZ918DT-T1-GE3 |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR |
メーカーの標準リードタイム | 24 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 30V 16A、28A 29W、100W 面実装 8-PowerPair®(6x5) |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SIZ918DT-T1-GE3 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | Vishay Siliconix | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) | |
FET機能 | 論理レベルゲート | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 30V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 16A、28A | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 12ミリオーム @ 13.8A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2.2V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 21nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 790pF @ 15V | |
電力 - 最大 | 29W、100W | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair®(6x5) | |
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥394.00000 | ¥394 |
| 10 | ¥253.00000 | ¥2,530 |
| 100 | ¥172.81000 | ¥17,281 |
| 500 | ¥138.49400 | ¥69,247 |
| 1,000 | ¥136.41300 | ¥136,413 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥111.44900 | ¥334,347 |
| 単価(消費税抜き): | ¥394.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥433.40000 |