Name: SISS60DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS60DN-T1-GE3TR-ND
Price: 430.1 JPY
Availability: InStock

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SISS60DN-T1-GE3
DigiKey製品番号	742-SISS60DN-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SISS60DN-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SISS60DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SISS60DN-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 50.1A（Ta）、181.8A（Tc） 5.1W（Ta）、 65.8W（Tc）面実装 PowerPAK® 1212-8S
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 85.5 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET® Gen IV	Vgs（最大） +16V、-12V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3960 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	FET機能ショットキーダイオード（本体）
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 5.1W（Ta）、 65.8W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 50.1A（Ta）、181.8A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.31ミリオーム @ 20A、10V	ベース品番 SISS60