Name: SIS5712DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS5712DN-T1-GE3TR-ND
Price: 367.4 JPY
Availability: InStock

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SIS5712DN-T1-GE3
DigiKey製品番号	742-SIS5712DN-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SIS5712DN-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SIS5712DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIS5712DN-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 150 V 5.6A（Ta）、18A（Tc） 3.7W（Ta）、39.1W（Tc）面実装 PowerPAK® 1212-8
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 55.5ミリオーム @ 5.6A、10V
メーカー Vishay Siliconix	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
シリーズ TrenchFET®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 11.3 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 500 pF @ 75 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 3.7W（Ta）、39.1W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 150 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 5.6A（Ta）、18A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 7.5V、10V	パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8

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カットテープ（CT） & Digi-Reel®

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テープ＆リール（TR）

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥334.00000
単価（消費税込み）:	¥367.40000

SIS5712DN-T1-GE3