Name: SIS402DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS402DN-T1-GE3TR-ND
Price: 513.7 JPY
Availability: InStock

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SIS402DN-T1-GE3
DigiKey製品番号	SIS402DN-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIS402DN-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SIS402DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIS402DN-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
メーカーの標準リードタイム	28 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 35A（Tc） 3.8W（Ta）、52W（Tc）面実装 PowerPAK® 1212-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SIS402DN-T1-GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 42 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1700 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.8W（Ta）、52W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 35A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SIS402
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6ミリオーム @ 19A、10V

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カットテープ（CT） & Digi-Reel®

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テープ＆リール（TR）

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥467.00000
単価（消費税込み）:	¥513.70000

SIS402DN-T1-GE3