Name: SIS322DNT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS322DNT-T1-GE3TR-ND
Price: 195.8 JPY
Availability: InStock

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SIS322DNT-T1-GE3
DigiKey製品番号	SIS322DNT-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIS322DNT-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SIS322DNT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIS322DNT-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 38.3A（Tc） 3.2W（Ta）、19.8W（Tc）面実装 PowerPAK® 1212-8
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 21.5 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） +20V、-16V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1000 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.2W（Ta）、19.8W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 38.3A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SIS322
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 7.5ミリオーム @ 10A、10V

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関連リソース

代替品リスト（7）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
SISA18ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	8,970	SISA18ADN-T1-GE3CT-ND	¥211.00000	パラメータ等価
CSD17578Q3A	Texas Instruments	2,722	296-39997-1-ND	¥168.00000	類似
CSD17578Q3AT	Texas Instruments	3,976	296-38462-1-ND	¥341.00000	類似
RQ3E130BNTB	Rohm Semiconductor	3,622	RQ3E130BNTBCT-ND	¥150.00000	類似
TSM060N03PQ33 RGG	Taiwan Semiconductor Corporation	11,995	TSM060N03PQ33RGGCT-ND	¥168.00000	類似