Name: SIRA80DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA80DP-T1-RE3TR-ND
Price: 544.5 JPY
Availability: OutOfStock

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SIRA80DP-T1-RE3
DigiKey製品番号	SIRA80DP-T1-RE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIRA80DP-T1-RE3CT-ND - カットテープ（CT） SIRA80DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIRA80DP-T1-RE3
商品概要	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 100A（Tc） 104W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SIRA80DP-T1-RE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 188 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET® Gen IV	Vgs（最大） +20V、-16V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 9530 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 104W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 100A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SIRA80
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 0.62ミリオーム @ 20A、10V

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