Name: SIRA12BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 165 JPY
Availability: InStock

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SIRA12BDP-T1-GE3
DigiKey製品番号	SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SIRA12BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIRA12BDP-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
メーカーの標準リードタイム	22 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 27A（Ta）、60A（Tc） 5W（Ta）、38W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SIRA12BDP-T1-GE3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	27A（Ta）、60A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	4.3ミリオーム @ 10A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	32 nC @ 10 V
Vgs（最大）	+20V、-16V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1470 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	5W（Ta）、38W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース	PowerPAK® SO-8
ベース品番	SIRA12