Name: SIRA10DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA10DP-T1-GE3TR-ND
Price: 312.4 JPY
Availability: InStock

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SIRA10DP-T1-GE3
DigiKey製品番号	SIRA10DP-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIRA10DP-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SIRA10DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIRA10DP-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
メーカーの標準リードタイム	17 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 60A（Tc） 5W（Ta）、40W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SIRA10DP-T1-GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 51 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） +20V、-16V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2425 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 5W（Ta）、40W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 60A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SIRA10
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.7ミリオーム @ 10A、10V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
RS1E220ATTB1	Rohm Semiconductor	612	RS1E220ATTB1CT-ND	¥613.00000	類似
RS1E280BNTB	Rohm Semiconductor	44,651	RS1E280BNTBCT-ND	¥236.00000	類似
RS3E095BNGZETB	Rohm Semiconductor	2,446	RS3E095BNGZETBCT-ND	¥246.00000	類似
RXH070N03TB1	Rohm Semiconductor	2,549	RXH070N03TB1CT-ND	¥253.00000	類似
TSM080NB03CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	4,894	1801-TSM080NB03CRRLGCT-ND	¥203.00000	類似

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カットテープ（CT） & Digi-Reel®

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テープ＆リール（TR）

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥284.00000
単価（消費税込み）:	¥312.40000

SIRA10DP-T1-GE3