Name: SIR878BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR878BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 491.7 JPY
Availability: InStock

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SIR878BDP-T1-RE3
DigiKey製品番号	SIR878BDP-T1-RE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIR878BDP-T1-RE3CT-ND - カットテープ（CT） SIR878BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIR878BDP-T1-RE3
商品概要	MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 12A（Ta）、42.5A（Tc） 5W（Ta）、62.5W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SIR878BDP-T1-RE3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	12A（Ta）、42.5A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	7.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	14.4ミリオーム @ 15A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	38 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1850 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	5W（Ta）、62.5W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース	PowerPAK® SO-8
ベース品番	SIR878