Name: SIR681DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND
Price: 693 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SIR681DP-T1-RE3
DigiKey製品番号	742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SIR681DP-T1-RE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SIR681DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIR681DP-T1-RE3
商品概要	MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 80 V 17.6A（Ta）、71.9A（Tc） 6.25W（Ta）、104W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SIR681DP-T1-RE3 モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.6V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 105 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET® Gen IV	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4850 pF @ 40 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 6.25W（Ta）、104W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 17.6A（Ta）、71.9A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 11.2ミリオーム @ 10A、10V	ベース品番 SIR681