Name: SIR640ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR640ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 521.4 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SIR640ADP-T1-GE3
DigiKey製品番号	SIR640ADP-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIR640ADP-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SIR640ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIR640ADP-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 40 V 41.6A（Ta）、100A（Tc） 6.25W（Ta）、104W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SIR640ADP-T1-GE3 モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 90 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4240 pF @ 20 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 6.25W（Ta）、104W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 40 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 41.6A（Ta）、100A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SIR640
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2ミリオーム @ 20A、10V

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
DI100N04PQ-AQ	Diotec Semiconductor	4,998	4878-DI100N04PQ-AQCT-ND	¥312.00000	類似
RQ3E180GNTB	Rohm Semiconductor	1,441	RQ3E180GNTBCT-ND	¥195.00000	類似
RQ3G100GNTB	Rohm Semiconductor	45,668	RQ3G100GNTBCT-ND	¥143.00000	類似
RS1G150MNTB	Rohm Semiconductor	8,587	RS1G150MNTBCT-ND	¥267.00000	類似
RS3L045GNGZETB	Rohm Semiconductor	833	RS3L045GNGZETBCT-ND	¥207.00000	類似

在庫：116個

追加の入荷予定数量を確認

数量

価格はすべてJPYです

カットテープ（CT） & Digi-Reel®

*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金（¥800）が追加されます。

テープ＆リール（TR）

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥474.00000
単価（消費税込み）:	¥521.40000

SIR640ADP-T1-GE3