Name: SIR5812DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5812DP-T1-RE3TR-ND
Price: 271.7 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SIR5812DP-T1-RE3
DigiKey製品番号	742-SIR5812DP-T1-RE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SIR5812DP-T1-RE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SIR5812DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIR5812DP-T1-RE3
商品概要	MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 13A（Ta）、45.3A（Tc） 4.1W（Ta）、50W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 13.5ミリオーム @ 10A、10V
メーカー Vishay Siliconix	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
シリーズ TrenchFET®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 15 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 775 pF @ 40 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 4.1W（Ta）、50W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 13A（Ta）、45.3A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 7.5V、10V	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

関連リソース

在庫：5,980個

追加の入荷予定数量を確認

数量

価格はすべてJPYです

カットテープ（CT） & Digi-Reel®

*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金（¥800）が追加されます。

テープ＆リール（TR）