Name: SIR500DP-T1-UE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR500DP-T1-UE3TR-ND
Price: 524.7 JPY
Availability: InStock

SIR500DP-T1-UE3
DigiKey製品番号	742-SIR500DP-T1-UE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SIR500DP-T1-UE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SIR500DP-T1-UE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIR500DP-T1-UE3
商品概要	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 85.9A（Ta）、350.8A（Tc） 6.25W（Ta）、104.1W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET® Gen V
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	85.9A（Ta）、350.8A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	0.47ミリオーム @20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	180 nC @ 10 V
Vgs（最大）	+16V、-12V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	8960 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	6.25W（Ta）、104.1W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース	PowerPAK® SO-8

単価（消費税抜き）:	¥477.00000
単価（消費税込み）:	¥524.70000

SIR500DP-T1-UE3