Name: SIR410DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR410DP-T1-GE3TR-ND
Price: 314.6 JPY
Availability: InStock

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SIR410DP-T1-GE3
DigiKey製品番号	SIR410DP-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIR410DP-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SIR410DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIR410DP-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
メーカーの標準リードタイム	38 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 20 V 35A（Tc） 4.2W（Ta）、36W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 41 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1600 pF @ 10 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 4.2W（Ta）、36W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 35A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SIR410
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.8ミリオーム @ 20A、10V

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関連リソース

代替品リスト（6）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
BSC046N02KSGAUMA1	Infineon Technologies	4,710	BSC046N02KSGAUMA1CT-ND	¥367.00000	類似
RS1E150GNTB	Rohm Semiconductor	2,225	RS1E150GNTBCT-ND	¥158.00000	類似
RS1E220ATTB1	Rohm Semiconductor	412	RS1E220ATTB1CT-ND	¥613.00000	類似
RS1E240BNTB	Rohm Semiconductor	7,373	RS1E240BNTBCT-ND	¥199.00000	類似
RS3E095BNGZETB	Rohm Semiconductor	2,446	RS3E095BNGZETBCT-ND	¥246.00000	類似