Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 1149.5 JPY
Availability: InStock

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SIJH112E-T1-GE3
DigiKey製品番号	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIJH112E-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 23A（Ta）、225A（Tc） 3.3W（Ta）、333W（Tc）面実装 PowerPAK® 8 x 8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SIJH112E-T1-GE3 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 160 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 8050 pF @ 50 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.3W（Ta）、333W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 8 x 8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 23A（Ta）、225A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.8ミリオーム @ 20A、10V	ベース品番 SIJH112
Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA