Name: SIHW61N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHW61N65EF-GE3-ND
Price: 2880.9 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 371 nC @ 10 V
シリーズ E	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 7407 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 520W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 64A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SIHW61
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 47ミリオーム @ 30.5A、10V

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単価（消費税抜き）:	¥2,619.00000
単価（消費税込み）:	¥2,880.90000

SIHW61N65EF-GE3