Name: SIHW47N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHW47N65E-GE3-ND
Price: 739.21375 JPY
Availability: OutOfStock

SIHW47N65E-GE3 は購入可能ですが、通常は在庫がありません。

購入可能な代替品:

類似

FCH072N60F

onsemi

在庫あり: 41,669

単価 : ¥1,730.00000

データシート

類似

IPW60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

在庫あり: 6,480

単価 : ¥1,095.00000

データシート

類似

IXFR80N60P3

IXYS

在庫あり: 0

単価 : ¥2,632.27333

データシート

類似

STW43N60DM2

STMicroelectronics

在庫あり: 600

単価 : ¥1,331.00000

データシート

類似

STW50N65DM2AG

STMicroelectronics

在庫あり: 430

単価 : ¥1,305.00000

データシート

類似

STW77N65M5

STMicroelectronics

在庫あり: 237

単価 : ¥2,890.00000

データシート

すべての代替品を表示して比較する

Nチャンネル 650 V 47A（Tc） 417W（Tc）スルーホール TO-247AD

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SIHW47N65E-GE3
DigiKey製品番号	SIHW47N65E-GE3-ND
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIHW47N65E-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 47A（Tc） 417W（Tc）スルーホール TO-247AD
データシート	データシート

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 273 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5682 pF @ 100 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 417W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 47A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 72オーム @ 24A、10V	ベース品番 SIHW47

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

関連リソース

代替品リスト（6）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FCH072N60F	onsemi	41,669	FCH072N60F-ND	¥1,730.00000	類似
IPW60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	6,480	448-IPW60R080P7XKSA1-ND	¥1,095.00000	類似
IXFR80N60P3	IXYS	0	IXFR80N60P3-ND	¥2,632.27333	類似
STW43N60DM2	STMicroelectronics	600	497-16343-5-ND	¥1,331.00000	類似
STW50N65DM2AG	STMicroelectronics	430	497-16138-5-ND	¥1,305.00000	類似