Name: SIHW30N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHW30N60E-GE3-ND
Price: 1392.6 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 130 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2600 pF @ 100 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 250W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 29A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-3P-3フルパッッケージ
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 125ミリオーム @ 15A、10V	ベース品番 SIHW30

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関連リソース

代替品リスト（10）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPW60R099C6FKSA1	Infineon Technologies	480	448-IPW60R099C6FKSA1-ND	¥1,278.00000	類似
IPW60R099CPAFKSA1	Infineon Technologies	310	IPW60R099CPAFKSA1-ND	¥1,537.00000	類似
IPW60R099CPFKSA1	Infineon Technologies	750	448-IPW60R099CPFKSA1-ND	¥1,436.00000	類似
IPW60R125C6FKSA1	Infineon Technologies	93	448-IPW60R125C6FKSA1-ND	¥1,015.00000	類似
IXFR64N60Q3	IXYS	30	IXFR64N60Q3-ND	¥6,963.00000	類似