Name: SIHU6N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHU6N65E-GE3-ND
Price: 128.11114 JPY
Availability: OutOfStock

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SIHU6N65E-GE3
DigiKey製品番号	SIHU6N65E-GE3-ND
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIHU6N65E-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 7A（Tc） 78W（Tc）スルーホール IPAK（TO-251）
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 48 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±30V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 820 pF @ 100 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 78W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 7A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ IPAK（TO-251）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-251-3ロングリード、IPAK、TO-251AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 600ミリオーム @ 3A、10V	ベース品番 SIHU6

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数量	単価	請求価格
3,000	¥116.46467	¥349,394

注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。

単価（消費税抜き）:	¥116.46467
単価（消費税込み）:	¥128.11114

SIHU6N65E-GE3