
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。


SIHP33N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 742-SIHP33N60E-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHP33N60E-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB |
メーカーの標準リードタイム | 25 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 600 V 33A(Tc) 278W(Tc) スルーホール TO-220AB |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SIHP33N60E-GE3 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | - | |
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 600 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 99ミリオーム @ 16.5A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 150 nC @ 10 V | |
Vgs(最大) | ±30V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 3508 pF @ 100 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 278W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,089.00000 | ¥1,089 |
| 50 | ¥581.56000 | ¥29,078 |
| 100 | ¥532.66000 | ¥53,266 |
| 500 | ¥447.03600 | ¥223,518 |
| 1,000 | ¥441.70100 | ¥441,701 |
| 単価(消費税抜き): | ¥1,089.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥1,197.90000 |