設定
迅速な配送
送料は無料
Incoterms
お支払い方法
マーケットプレイス製品
SIHP28N65E-GE3 は購入可能ですが、通常は在庫がありません。
購入可能な代替品:
類似
類似
類似
類似
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SIHP28N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SIHP28N65E-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHP28N65E-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB |
メーカーの標準リードタイム | 25 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 29A（Tc） 250W（Tc） スルーホール TO-220AB |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SIHP28N65E-GE3 モデル |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | - | |
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 650 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | ||
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 112ミリオーム @ 14A、 10V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 4V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 140 nC @ 10 V | |
Vgs（最大） | ±30V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 3405 pF @ 100 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸（最大） | 250W（Tc） | |
動作温度 | -55°C～150°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
受注発注品
リードタイムを確認
この製品は、DigiKeyで在庫を保有していません。表示されるリードタイムはメーカーからDigiKeyへの出荷にかかる時間です。DigiKeyは、製品が入庫次第、未出荷の注文を出荷します。
数量
価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1,000 | ¥385.08300 | ¥385,083 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥385.08300 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥423.59130 |
日本