SIHP25N40D-E3 Vishay Siliconix | シングルFET、MOSFET

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Vishay Siliconix

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 88 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±30V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1707 pF @ 100 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 278W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 400 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 25A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-220-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 170ミリオーム @ 13A、10V	ベース品番 SIHP25

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SIHP25N40D-E3