設定
迅速な配送
送料は無料
Incoterms
お支払い方法
マーケットプレイス製品
SIHP24N65E-GE3 は在庫切れとなっており、繰越注文をご利用いただけます。
購入可能な代替品:
類似
類似
類似
類似
類似
類似
類似
類似
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SIHP24N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SIHP24N65E-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHP24N65E-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB |
メーカーの標準リードタイム | 25 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 24A（Tc） 250W（Tc） スルーホール TO-220AB |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SIHP24N65E-GE3 モデル |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | - | |
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 650 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | ||
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 145ミリオーム @ 12A、10V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 4V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 122 nC @ 10 V | |
Vgs（最大） | ±30V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 2740 pF @ 100 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸（最大） | 250W（Tc） | |
動作温度 | -55°C～150°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
0 個在庫あり
リードタイムを確認
在庫通知をリクエスト
数量
価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,033.00000 | ¥1,033 |
| 10 | ¥693.90000 | ¥6,939 |
| 100 | ¥502.13000 | ¥50,213 |
| 500 | ¥420.42600 | ¥210,213 |
| 1,000 | ¥411.58500 | ¥411,585 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥1,033.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥1,136.30000 |
日本