Name: SIHJ690N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHJ690N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 484 JPY
Availability: OutOfStock

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SIHJ690N60E-T1-GE3
DigiKey製品番号	SIHJ690N60E-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIHJ690N60E-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SIHJ690N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIHJ690N60E-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 5.6A（Tc） 48W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 12 nC @ 10 V
シリーズ E	Vgs（最大） ±30V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 347 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 48W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 5.6A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SIHJ690
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 700ミリオーム @ 2A、10V

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テープ＆リール（TR）

数量	単価	請求価格
3,000	¥118.85267	¥356,558
6,000	¥116.95317	¥701,719

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥440.00000
単価（消費税込み）:	¥484.00000

SIHJ690N60E-T1-GE3