Name: SIHG40N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG40N60E-GE3-ND
Price: 1283.7 JPY
Availability: OutOfStock

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製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	E
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	40A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	75ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	197 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	4436 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	329W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247AC
パッケージ/ケース	TO-247-3
ベース品番	SIHG40