Name: SIHG120N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHG120N60E-GE3-ND
Price: 1213.3 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 45 nC @ 10 V
シリーズ E	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1562 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 179W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-247AC
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 25A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SIHG120
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 120ミリオーム @ 12A、10V

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単価（消費税込み）:	¥1,213.30000

SIHG120N60E-GE3