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SIHF6N65E-GE3

DigiKey製品番号
SIHF6N65E-GE3-ND
メーカー
メーカー製品番号
SIHF6N65E-GE3
商品概要
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
メーカーの標準リードタイム
25 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 650 V 7A(Tc) 31W(Tc) スルーホール TO-220フルパッッケージ
データシート
 データシート
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
シリーズ
-
梱包形態
チューブ
部品状況
アクティブ
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
600ミリオーム @ 3A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
48 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
820 pF @ 100 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
31W(Tc)
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ
TO-220フルパッッケージ
パッケージ/ケース
ベース品番
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価格はすべてJPYです
チューブ
数量 単価 請求価格
1,000¥172.11900¥172,119
メーカーの標準パッケージ
注:製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価(消費税抜き):¥172.11900
単価(消費税込み):¥189.33090