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パラメータ等価

IRF540SPBF
Vishay Siliconix
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単価 : ¥4,709.00000
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パラメータ等価

IRF540STRLPBF
Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥5,978.00000
データシート

パラメータ等価

IRF540STRRPBF
Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥5,978.00000
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パラメータ等価

SIHF540S-GE3
Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥1,084.43900
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Nチャンネル 100 V 28A（Tc） 3.7W（Ta）、150W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK）
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
Nチャンネル 100 V 28A（Tc） 3.7W（Ta）、150W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK）
TO-263-3

SIHF540STRL-GE3

DigiKey製品番号
742-SIHF540STRL-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー
Vishay Siliconix
メーカー製品番号
SIHF540STRL-GE3
商品概要
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
メーカーの標準リードタイム
31 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 100 V 28A（Tc） 3.7W（Ta）、150W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK）
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Vishay Siliconix
シリーズ
-
梱包形態
テープ＆リール（TR）
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
28A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
77ミリオーム @ 17A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
72 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
1700 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
3.7W（Ta）、150W（Tc）
動作温度
-55°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
TO-263（D2PAK）
パッケージ/ケース
TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番
SIHF540
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数量
価格はすべてJPYです
テープ＆リール（TR）
数量 単価 請求価格
800¥215.31250¥172,250
1,600¥200.73375¥321,174
2,400¥199.21500¥478,116
メーカーの標準パッケージ
単価（消費税抜き）:¥215.31250
単価（消費税込み）:¥236.84375