Name: SIHF22N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHF22N60E-GE3-ND
Price: 970.2 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SIHF22N60E-GE3
DigiKey製品番号	SIHF22N60E-GE3-ND
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIHF22N60E-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 600V 21A TO220
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 21A（Tc） 35W（Tc）スルーホール TO-220フルパッッケージ
データシート	データシート

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 86 nC @ 10 V
シリーズ E	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1920 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 35W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220フルパッッケージ
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 21A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3フルパッッケージ
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SIHF22
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 180ミリオーム @ 11A、10V

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

関連リソース

在庫：5,136個

追加の入荷予定数量を確認

数量

価格はすべてJPYです

チューブ

メーカーの標準パッケージ

注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。

単価（消費税抜き）:	¥882.00000
単価（消費税込み）:	¥970.20000

SIHF22N60E-GE3