Name: SIHF12N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHF12N65E-GE3-ND
Price: 640.2 JPY
Availability: InStock

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SIHF12N65E-GE3
DigiKey製品番号	SIHF12N65E-GE3-ND
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIHF12N65E-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 650V 12A TO220
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 12A（Tc） 33W（Tc）スルーホール TO-220フルパッッケージ
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	-
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	12A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	380ミリオーム @ 6A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	70 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1224 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	33W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220フルパッッケージ
パッケージ/ケース	TO-220-3フルパッッケージ
ベース品番	SIHF12

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