SIHD7N60ET4-GE3 は購入可能ですが、通常は在庫がありません。
購入可能な代替品:

パラメータ等価


Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥165.84000
データシート

パラメータ等価


Vishay Siliconix
在庫あり: 20
単価 : ¥487.00000
データシート

パラメータ等価


Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥133.29250
データシート

パラメータ等価


Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥145.87767
データシート

類似


Infineon Technologies
在庫あり: 8,704
単価 : ¥522.00000
データシート

類似


IXYS
在庫あり: 345
単価 : ¥783.00000
データシート

類似


Infineon Technologies
在庫あり: 2,191
単価 : ¥587.00000
データシート

類似


Infineon Technologies
在庫あり: 0
単価 : ¥412.00000
データシート

類似


Infineon Technologies
在庫あり: 0
単価 : ¥432.00000
データシート

類似


STMicroelectronics
在庫あり: 4,098
単価 : ¥731.00000
データシート
Nチャンネル 600 V 7A(Tc) 78W(Tc) 面実装 TO-252AA
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SIHD7N60ET4-GE3

DigiKey製品番号
SIHD7N60ET4-GE3-ND - テープ&リール(TR)
メーカー
メーカー製品番号
SIHD7N60ET4-GE3
商品概要
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
メーカーの標準リードタイム
22 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 600 V 7A(Tc) 78W(Tc) 面実装 TO-252AA
データシート
 データシート
製品属性
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カテゴリ
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250µA
メーカー
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
40 nC @ 10 V
シリーズ
Vgs(最大)
±30V
梱包形態
テープ&リール(TR)
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
680 pF @ 100 V
部品状況
アクティブ
電力散逸(最大)
78W(Tc)
FETタイプ
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
技術
取り付けタイプ
面実装
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
600 V
サプライヤデバイスパッケージ
TO-252AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
パッケージ/ケース
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
ベース品番
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
600ミリオーム @ 3.5A、10V
環境および輸出に関する分類
製品に関する質問と回答
関連リソース
代替品リスト(10)
品番メーカー 在庫数量DigiKey製品番号 単価 代替品のタイプ
SIHD7N60E-E3Vishay Siliconix0SIHD7N60E-E3-ND¥165.84000パラメータ等価
SIHD7N60E-GE3Vishay Siliconix20SIHD7N60E-GE3-ND¥487.00000パラメータ等価
SIHD7N60ET1-GE3Vishay Siliconix0742-SIHD7N60ET1-GE3TR-ND¥133.29250パラメータ等価
SIHD7N60ET5-GE3Vishay Siliconix0SIHD7N60ET5-GE3-ND¥145.87767パラメータ等価
IPD80R450P7ATMA1Infineon Technologies8,704IPD80R450P7ATMA1CT-ND¥522.00000類似
受注発注品
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価格はすべてJPYです
テープ&リール(TR)
数量 単価 請求価格
3,000¥120.13600¥360,408
6,000¥118.40717¥710,443
メーカーの標準パッケージ
単価(消費税抜き):¥120.13600
単価(消費税込み):¥132.14960