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なります。正確な仕様は、デー
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SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHD2N80AE-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
メーカーの標準リードタイム | 24 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 800 V 2.9A（Tc） 62.5W（Tc） 面実装 TO-252AA |
データシート | データシート |
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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA |
メーカー | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 10.5 nC @ 10 V |
シリーズ | Vgs（最大） ±30V |
梱包形態 チューブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 180 pF @ 100 V |
部品状況 アクティブ | 電力散逸（最大） 62.5W（Tc） |
FETタイプ | 動作温度 -55°C～150°C（TJ） |
技術 | 取り付けタイプ 面実装 |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V | サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | パッケージ/ケース |
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V | ベース品番 |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.9オーム @ 500mA、10V |
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チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥312.00000 | ¥312 |
| 10 | ¥198.80000 | ¥1,988 |
| 100 | ¥133.33000 | ¥13,333 |
| 500 | ¥105.28600 | ¥52,643 |
| 1,000 | ¥96.26100 | ¥96,261 |
| 3,000 | ¥84.80633 | ¥254,419 |
| 6,000 | ¥79.04150 | ¥474,249 |
| 12,000 | ¥74.19742 | ¥890,369 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥312.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥343.20000 |
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5 品目
