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SIHB6N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SIHB6N65E-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHB6N65E-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
メーカーの標準リードタイム | 24 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 7A（Tc） 78W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK） |
データシート | データシート |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | - | |
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 650 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | ||
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 600ミリオーム @ 3A、10V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 4V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 48 nC @ 10 V | |
Vgs（最大） | ±30V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 820 pF @ 100 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸（最大） | 78W（Tc） | |
動作温度 | -55°C～150°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263（D2PAK） | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
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数量
価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥472.00000 | ¥472 |
| 10 | ¥304.60000 | ¥3,046 |
| 100 | ¥209.00000 | ¥20,900 |
| 500 | ¥168.12000 | ¥84,060 |
| 1,000 | ¥154.98300 | ¥154,983 |
| 2,000 | ¥143.93500 | ¥287,870 |
| 5,000 | ¥131.98800 | ¥659,940 |
| 10,000 | ¥128.79380 | ¥1,287,938 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥472.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥519.20000 |
