Name: SIHB23N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB23N60E-GE3-ND
Price: 950.4 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 95 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±30V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2418 pF @ 100 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 227W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 23A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 158オーム @ 12A、10V	ベース品番 SIHB23

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPB65R150CFDAATMA1	Infineon Technologies	1,192	448-IPB65R150CFDAATMA1CT-ND	¥838.00000	類似
IXFA22N65X2	IXYS	4,207	238-IXFA22N65X2-ND	¥1,300.00000	類似
R6020KNJTL	Rohm Semiconductor	3,286	R6020KNJTLCT-ND	¥793.00000	類似
STB24N60DM2	STMicroelectronics	515	497-15423-1-ND	¥665.00000	類似

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単価（消費税抜き）:	¥864.00000
単価（消費税込み）:	¥950.40000

SIHB23N60E-GE3