SIHB22N65E-GE3 は購入可能ですが、通常は在庫がありません。
購入可能な代替品:

直接


onsemi
在庫あり: 1,480
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単価 : ¥5,506.00000
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在庫あり: 835
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在庫あり: 1,663
単価 : ¥4,048.00000
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TO-263-3
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
TO-263-3
TO-263-3

SIHB22N65E-GE3

DigiKey製品番号
SIHB22N65E-GE3-ND
メーカー
メーカー製品番号
SIHB22N65E-GE3
商品概要
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
メーカーの標準リードタイム
25 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 650 V 22A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
SIHB22N65E-GE3 モデル
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
シリーズ
-
梱包形態
チューブ
部品状況
アクティブ
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
180ミリオーム @ 11A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
110 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
2415 pF @ 100 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
227W(Tc)
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
TO-263(D2PAK)
パッケージ/ケース
ベース品番
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価格はすべてJPYです
チューブ
数量 単価 請求価格
1,000¥347.33800¥347,338
メーカーの標準パッケージ
注:製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価(消費税抜き):¥347.33800
単価(消費税込み):¥382.07180