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SIHB22N60AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SIHB22N60AE-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHB22N60AE-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
メーカーの標準リードタイム | 24 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 600 V 20A（Tc） 179W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK） |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SIHB22N60AE-GE3 モデル |
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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA |
メーカー | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 96 nC @ 10 V |
シリーズ | Vgs（最大） ±30V |
梱包形態 チューブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1451 pF @ 100 V |
部品状況 アクティブ | 電力散逸（最大） 179W（Tc） |
FETタイプ | 動作温度 -55°C～150°C（TJ） |
技術 | 取り付けタイプ 面実装 |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V | サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK） |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | パッケージ/ケース |
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V | ベース品番 |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 180ミリオーム @ 11A、10V |
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関連リソース
代替品リスト（10）
| 品番 | メーカー | 在庫数量 | DigiKey製品番号 | 単価 | 代替品のタイプ |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1,795 | FCB20N60FTMCT-ND | ¥1,167.00000 | 類似 |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1,095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | ¥705.00000 | 類似 |
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2,045 | IPB60R180P7ATMA1CT-ND | ¥518.00000 | 類似 |
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | 3,075 | IPB60R199CPATMA1CT-ND | ¥696.00000 | 類似 |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4,207 | 238-IXFA22N65X2-ND | ¥1,170.00000 | 類似 |
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数量
価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1,000 | ¥355.48100 | ¥355,481 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥355.48100 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥391.02910 |
