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SIHB18N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SIHB18N60E-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHB18N60E-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 600V 18A TO263 |
メーカーの標準リードタイム | 24 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 600 V 18A（Tc） 179W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK） |
データシート | データシート |
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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA |
メーカー | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 92 nC @ 10 V |
梱包形態 チューブ | Vgs（最大） ±30V |
部品状況 アクティブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1640 pF @ 100 V |
FETタイプ | 電力散逸（最大） 179W（Tc） |
技術 | 動作温度 -55°C～150°C（TJ） |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V | 取り付けタイプ 面実装 |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK） |
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V | パッケージ/ケース |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 202ミリオーム @ 9A、 10V | ベース品番 |
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関連リソース
代替品リスト（9）
| 品番 | メーカー | 在庫数量 | DigiKey製品番号 | 単価 | 代替品のタイプ |
|---|---|---|---|---|---|
| TK20G60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 52 | TK20G60WRVQCT-ND | ¥748.00000 | 直接 |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | ¥858.00000 | 類似 |
| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | 5,928 | IPB60R165CPATMA1CT-ND | ¥834.00000 | 類似 |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4,207 | 238-IXFA22N65X2-ND | ¥1,170.00000 | 類似 |
| IXFA24N60X | IXYS | 0 | IXFA24N60X-ND | ¥531.98333 | 類似 |
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価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1,000 | ¥252.36800 | ¥252,368 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥252.36800 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥277.60480 |
