Name: SIHB186N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHB186N60EF-GE3-ND
Price: 771.1 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 32 nC @ 10 V
シリーズ EF	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1081 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 156W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 8.4A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SIHB186
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 193ミリオーム @ 9.5A、10V

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単価（消費税込み）:	¥771.10000

SIHB186N60EF-GE3