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SIHB100N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SIHB100N60E-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHB100N60E-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK |
メーカーの標準リードタイム | 24 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 600 V 30A（Tc） 208W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK） |
データシート | データシート |
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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA |
メーカー | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 50 nC @ 10 V |
シリーズ | Vgs（最大） ±30V |
梱包形態 チューブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1851 pF @ 100 V |
部品状況 アクティブ | 電力散逸（最大） 208W（Tc） |
FETタイプ | 動作温度 -55°C～150°C（TJ） |
技術 | 取り付けタイプ 面実装 |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V | サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK） |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | パッケージ/ケース |
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V | ベース品番 |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 100ミリオーム @ 13A、10V |
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チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,047.00000 | ¥1,047 |
| 50 | ¥551.66000 | ¥27,583 |
| 100 | ¥503.89000 | ¥50,389 |
| 500 | ¥420.24600 | ¥210,123 |
| 1,000 | ¥393.39800 | ¥393,398 |
| 2,000 | ¥378.48750 | ¥756,975 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥1,047.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥1,151.70000 |
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9 品目
