SIHA25N60EFL-E3 は購入可能ですが、通常は在庫がありません。
購入可能な代替品:

直接


Rohm Semiconductor
在庫あり: 0
単価 : ¥765.00000
データシート

類似


onsemi
在庫あり: 582
単価 : ¥777.00000
データシート

類似


Rochester Electronics, LLC
在庫あり: 326,740
単価 : ¥229.45500
データシート

類似


onsemi
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
データシート

類似


Infineon Technologies
在庫あり: 14
単価 : ¥458.00000
データシート

類似


Infineon Technologies
在庫あり: 30,163
単価 : ¥363.00000
データシート

類似


STMicroelectronics
在庫あり: 309
単価 : ¥901.00000
データシート

類似


Taiwan Semiconductor Corporation
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
SIHA22N60EL-E3
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SIHA25N60EFL-E3

DigiKey製品番号
SIHA25N60EFL-E3-ND
メーカー
メーカー製品番号
SIHA25N60EFL-E3
商品概要
MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
メーカーの標準リードタイム
25 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 600 V 25A(Tc) 39W(Tc) スルーホール TO-220フルパッッケージ
データシート
 データシート
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
シリーズ
梱包形態
チューブ
部品状況
アクティブ
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
146ミリオーム @ 12.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
75 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
2274 pF @ 100 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
39W(Tc)
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ
TO-220フルパッッケージ
パッケージ/ケース
ベース品番
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価格はすべてJPYです
チューブ
数量 単価 請求価格
1,000¥341.31400¥341,314
メーカーの標準パッケージ
注:製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価(消費税抜き):¥341.31400
単価(消費税込み):¥375.44540